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二极管的型号由四部分组成。
1)第一部分用数字表示。
“2”表示二极管(如是三极管,则用数字“3”)。
2)第二部分用字母表示所用的材料。
A为N型锗材料;B为P型锗材料;C为N型硅材料;D为P型硅材料。
3)第三部分用汉语拼音字母表示器件类型。
P为普通管;V为微波管;W为稳压管;Z为整流管;S为隧道管;U为光电管;K为开关管。
4)第四部分用数字表示器件序号。
2CP10为硅普通二极管;2AK1为锗开关二极管;2CZ12为硅整流二极管。
4、二极管的特性
二极管的主要特性是单向导电性,当阳极处于高电位,阴极处于低电位时,二极管正向导通,即处于低阻状态。当阳极处于低电位,阴极处于高电位时,二极管反向截止,即处于高阻状态。二极管的特性可用两种方式来说明,一种是用伏安特性曲线,另一种是二极管的额定参数。
1)二极管的伏安特性
用来描述加在二极管两个电极间的电压U和通过二极管的电流I之间的伏安特性曲线,如下图所示。
(1)二极管正向连接时如外加电压很低,电路中基本上没有电流通过,二极管的这种状态称为截止。但当外加电压增大到一定值时,二极管开始有电流通过,并且电流随外电压极微的增加而很快增长,二极管这种状态称为导通。正向连接时的伏安特性也称正向特性。
二极管由截止进入到导通所需的电压称二极管的阀电压,一般锗二极管在0.2V左右,硅二极管在0.5V左右。
(2)二极管反向连接时由少数载流子的漂移运动形成很小的反向电流。在反向电压很低时,反向电流随反向电压的增加而增加。但当反向电压增加到某一值(视不同的管子而不同)后的一段范围内,反向电压增加,反向电流基本不再增加,这是因为为数不多的少数载流子在电场作用下基本上都已参与了漂移运动的缘故。因此反向电流又称为反向饱和电流。但当反向电压增加到超过某一范围后,反向电流突然大增,二极管失去单向导电性,这种现象称为击穿。二极管一经击穿,便不能再恢复其单向导电性。使二极管击穿的电压称反向击穿电压。二极管反向连接时的伏安特性称为反向特性。
2)二极管的额定参数
不同类型的二极管因用途、工作条件或使用要求等的不同,额定参数也各不相同。普通二极管的主要额定参数有:
(1)最大整流电流ICM
最大整流电流是指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。
当工作电流超过此允许值时,PN结会因过热而使管子损坏(PN结因过热而损坏,称热击穿)。
(2)最高反向工作电压URM
最高反向工作电压是指二极管不被击穿所允许的最高反向电压,一般规定最高反向工作电压为反向击穿电压的1/2~1/3。
(3)最大反向电流
最大反向电流是指在规定温度下,二极管加上最高反向工作电压时的反向电流值。此值越小,二极管的单向导电性越好。温度升高时,反向电流会显著增加。
(4)最高工作频率
最高工作频率取决于PN结结电容的大小,结电容越大,二极管允许的最高频率越低。
除上述参数外,还有最大瞬时电流、最高使用温度等。